二層ニッケルめっき、三層ニッケルめっきにおいて
下地ニッケルめっきとして用いられている。

半光沢ニッケルめっきに求めれる条件は、めっき皮膜中
の硫黄を出来るだけ少なくすること（一般に0.003%程度）
めっき皮膜の内部応力が小さいこと、外観が半光沢で、
平滑化作用（レベリング）があることなど。

めっき浴はワット浴を基本とあるｇ光沢ニッケル浴よりも
塩化ニッケルの濃度を低くして用いる。

濃度が高いと高電流密度部分が無光沢になり、めっき皮膜の
内部応力が高くなる。

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